型号:NTMD6N02R2G | 类别:FET - 阵列 | 制造商:ON Semiconductor |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO |
系列 | - |
制造商 | ON Semiconductor |
FET型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 3.92A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 35 毫欧 @ 6A,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1.2V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 20nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1100pF @ 16V |
功率_最大 | 730mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOIC N |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
深圳市科思奇电子科技有限公司 | 林小姐/朱先生0755-83245050/82785939 |
深圳市鑫晟源电子科技有限公司 | 赖0755-83538837 |
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